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Preparación de películas delgadas de AS2S3 por depósito químico con perspectivas de aplicacíon en celdas solares

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In this paper we obtained thin films of As2S3 by chemical bath deposition. The films were prepared at a temperature of 80 ºC for 3 hours each deposit. They were thermally treated at 180 ºC and 250 ºC for 30 minutes for 1 hour, respectively. The energy gap was calculated 2.9 eV. The conductivity was...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Peña, Y., Benitez, A., Lugo, S., Elizondo, P., Garza, T.
Formato:	Artículo
Lenguaje:	español
Publicado:	Universidad Autónoma de Nuevo León 2010
Materias:	depósito quimico celdas solares películas delgadas
Acceso en línea:	https://quimicahoy.uanl.mx/index.php/r/article/view/52

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