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Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras

En este trabajo, se presentan los resultados de una investigación que consistió en el depósito y crecimiento de películas delgadas de nitruro de aluminio (AlN) al emplear la técnica de erosión iónica reactiva por corriente directa (DC). Las películas presentan un crecimiento preferencial, por lo...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales:	García Méndez, Manuel, Morales Rodríguez, Santos
Formato:	Artículo
Lenguaje:	inglés
Publicado:	2013
Materias:	QD Química
Acceso en línea:	http://eprints.uanl.mx/3452/1/10ArticuloAINs.pdf

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