Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras
En este trabajo, se presentan los resultados de una investigación que consistió en el depósito y crecimiento de películas delgadas de nitruro de aluminio (AlN) al emplear la técnica de erosión iónica reactiva por corriente directa (DC). Las películas presentan un crecimiento preferencial, por lo...
| Autores principales: | , |
|---|---|
| Formato: | Artículo |
| Lenguaje: | English |
| Publicado: |
2013
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://eprints.uanl.mx/3452/1/10ArticuloAINs.pdf |