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Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras

En este trabajo, se presentan los resultados de una investigación que consistió en el depósito y crecimiento de películas delgadas de nitruro de aluminio (AlN) al emplear la técnica de erosión iónica reactiva por corriente directa (DC). Las películas presentan un crecimiento preferencial, por lo...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors:	García Méndez, Manuel, Morales Rodríguez, Santos
Format:	Article
Language:	English
Published:	2013
Subjects:	QD Química
Online Access:	http://eprints.uanl.mx/3452/1/10ArticuloAINs.pdf

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