Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras
En este trabajo, se presentan los resultados de una investigación que consistió en el depósito y crecimiento de películas delgadas de nitruro de aluminio (AlN) al emplear la técnica de erosión iónica reactiva por corriente directa (DC). Las películas presentan un crecimiento preferencial, por lo...
| Autores principales: | , |
|---|---|
| Formato: | Artículo |
| Lenguaje: | inglés |
| Publicado: |
2013
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://eprints.uanl.mx/3452/1/10ArticuloAINs.pdf |
| _version_ | 1824368593039523840 |
|---|---|
| author | García Méndez, Manuel Morales Rodríguez, Santos |
| author_facet | García Méndez, Manuel Morales Rodríguez, Santos |
| author_sort | García Méndez, Manuel |
| collection | Repositorio Institucional |
| description | En este trabajo, se presentan los resultados de una
investigación que consistió en el depósito y crecimiento
de películas delgadas de nitruro de aluminio
(AlN) al emplear la técnica de erosión iónica reactiva por corriente directa (DC). Las películas presentan
un crecimiento preferencial, por lo que poseen propiedades
compatibles para ser empleadas en
heterouniones de ultralarga integración (ULSI, por
sus siglas en inglés: Ultra Large Scale
Integration).Todas las películas están conformadas
por una fase mayoritaria de AlN tipo würzita con la
presencia de fases dispersas de AlOx. Esta fase dispersa
tiende a modificar las propiedades de estructura
de la muestra como un todo. Se describe el análisis
experimental de las propiedades estructurales,
ópticas y electrónicas de las películas, y se sustenta
este análisis con cálculos teóricos. |
| format | Article |
| id | eprints-3452 |
| institution | UANL |
| language | English |
| publishDate | 2013 |
| record_format | eprints |
| spelling | eprints-34522014-11-21T21:59:36Z http://eprints.uanl.mx/3452/ Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras García Méndez, Manuel Morales Rodríguez, Santos QD Química En este trabajo, se presentan los resultados de una investigación que consistió en el depósito y crecimiento de películas delgadas de nitruro de aluminio (AlN) al emplear la técnica de erosión iónica reactiva por corriente directa (DC). Las películas presentan un crecimiento preferencial, por lo que poseen propiedades compatibles para ser empleadas en heterouniones de ultralarga integración (ULSI, por sus siglas en inglés: Ultra Large Scale Integration).Todas las películas están conformadas por una fase mayoritaria de AlN tipo würzita con la presencia de fases dispersas de AlOx. Esta fase dispersa tiende a modificar las propiedades de estructura de la muestra como un todo. Se describe el análisis experimental de las propiedades estructurales, ópticas y electrónicas de las películas, y se sustenta este análisis con cálculos teóricos. 2013 Article PeerReviewed application/pdf en http://eprints.uanl.mx/3452/1/10ArticuloAINs.pdf http://eprints.uanl.mx/3452/1.haspreviewThumbnailVersion/10ArticuloAINs.pdf García Méndez, Manuel y Morales Rodríguez, Santos (2013) Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras. Ciencia UANL, 16 (63). pp. 74-88. ISSN 2007-1175 http://www.cienciauanl.uanl.mx/ |
| spellingShingle | QD Química García Méndez, Manuel Morales Rodríguez, Santos Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras |
| thumbnail | https://rediab.uanl.mx/themes/sandal5/images/online.png |
| title | Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras |
| title_full | Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras |
| title_fullStr | Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras |
| title_full_unstemmed | Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras |
| title_short | Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras |
| title_sort | crecimiento direccional de peliculas delgadas de aln de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras |
| topic | QD Química |
| url | http://eprints.uanl.mx/3452/1/10ArticuloAINs.pdf |
| work_keys_str_mv | AT garciamendezmanuel crecimientodireccionaldepeliculasdelgadasdealndepropiedadescompatiblesconheteroestructurassemiconductoras AT moralesrodriguezsantos crecimientodireccionaldepeliculasdelgadasdealndepropiedadescompatiblesconheteroestructurassemiconductoras |