Síntesis de SiC vía la reducción carbotérmica de la sílice empleando microondas como fuente de energía
El SiC existe en un número diferente de formas politípicas entre las cuales solamente una pertenece al sistema cristalino cúbico (SIC-β), y todas las demás pertenecen al sistema cristalino hexagonal y también al romboédrico. Es difícil sintetizar polvos que contengan un politipo específico y con fr...
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Tesis |
| Lenguaje: | Spanish / Castilian |
| Publicado: |
2006
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://eprints.uanl.mx/21535/1/1020152053.pdf |
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| author | Ureta Hernández, Luis Alberto |
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| collection | Repositorio Institucional |
| description | El SiC existe en un número diferente de formas politípicas entre las cuales solamente una pertenece al sistema cristalino cúbico (SIC-β), y todas las demás
pertenecen al sistema cristalino hexagonal y también al romboédrico. Es difícil sintetizar polvos que contengan un politipo específico y con frecuencia en los procesos comerciales se obtienen polvos con una mezcla de los diferentes politipos. Además, pueden ocurrir transformaciones de un politipo a otro, las cuales tienen una influencia perjudicial en la microestructura y propiedades obtenidas en la fabricación de productos de SiC para su uso en ingeniería.
Las microondas como método de calentamiento han sido ampliamente utilizadas en la síntesis y procesamiento de los materiales. Debido a que en trabajos anteriores se ha logrado sintetizar SiC empleando microondas como fuente de energía y el único politipo encontrado fue el cúbico, se planteo la hipótesis que el mecanismo de formación de SiC mediante microondas permite solamente el crecimiento del SiC-β.
Para conocer la posible influencia de las microondas en el mecanismo de formación del politipo cúbico, se sintetizo SiC mediante la reducción carbotérmica de la sílice y mediante la pirólisis polimérica. Se tomaron en
cuenta aspectos cinético-termodinámicos de la formación de SiC en ambos métodos y se plantearon las posibles causas por la cuales se obtuvo únicamente el SiC-β.
Después de los resultados obtenidos tanto vía la reducción carbotérmica de la sílice como mediante la pirolisis polimérica se concluye que las microondas no favorecen el crecimiento del SiC-β y se atribuye su crecimiento a las condiciones cinético-termodinámicas que también se pueden proporcionar en un procesamiento convencional. |
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| publishDate | 2006 |
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