Preparación de películas delgadas de As2S3 por depósito químico con perspectivas de aplicación en celdas solares
In this paper we obtained thin films of As2S3 by chemical bath deposition. The films were prepared at a temperature of 80 °C for 3 hours each deposit.
Autores principales: | , , , |
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Formato: | Artículo |
Lenguaje: | inglés |
Publicado: |
2010
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Materias: | |
Acceso en línea: | http://eprints.uanl.mx/2060/1/Art5.pdf |
Sumario: | In this paper we obtained thin films of As2S3 by chemical bath deposition. The films were prepared at a temperature of 80 °C for 3 hours each deposit. |
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