Caracterización estructural y química de Siliciuros de Co-Ni preparados ablación de láser pulsado: un estudio experimental y teórico
Por medio de la técnica de depósito de láser pulsado (PLD), se prepararon películas delgadas de Co- Ni/p-Si depositadas sobre sustratos de Si (100). Las muestras se sometieron a tratamientos térmicos en vacío para promover la formación de siliciuros. De los análisis realizados con XPS se detect...
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|---|---|
| Format: | Article |
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| Published: |
2003
|
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| author | García Méndez, Manuel |
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| description | Por medio de la técnica de depósito de láser pulsado
(PLD), se prepararon películas delgadas de Co-
Ni/p-Si depositadas sobre sustratos de Si (100). Las
muestras se sometieron a tratamientos térmicos en
vacío para promover la formación de siliciuros. De
los análisis realizados con XPS se detectaron
corrimientos químicos para las transiciones del Co2p
y Si2p, las cuales son energías de enlace características
de siliciuros, en el rango de 778.3-778.6 eV y
853.2-853.6 eV, respectivamente. Por medio de
microscopía electrónica de alta resolución (HRTEM)
se identificaron regiones nanocristalinas de estructuras
de CoSi2, Ni2Si y NiSi2. Los resultados experimentales
se complementan con cálculos teóricos de
densidad de estados (DOS). Los cálculos se llevaron
a cabo utilizando la Teoría extendida de aproximación
de Hückel (EHT). |
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| institution | UANL |
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| spelling | eprints-12732014-11-27T04:51:52Z http://eprints.uanl.mx/1273/ Caracterización estructural y química de Siliciuros de Co-Ni preparados ablación de láser pulsado: un estudio experimental y teórico García Méndez, Manuel QD Química Por medio de la técnica de depósito de láser pulsado (PLD), se prepararon películas delgadas de Co- Ni/p-Si depositadas sobre sustratos de Si (100). Las muestras se sometieron a tratamientos térmicos en vacío para promover la formación de siliciuros. De los análisis realizados con XPS se detectaron corrimientos químicos para las transiciones del Co2p y Si2p, las cuales son energías de enlace características de siliciuros, en el rango de 778.3-778.6 eV y 853.2-853.6 eV, respectivamente. Por medio de microscopía electrónica de alta resolución (HRTEM) se identificaron regiones nanocristalinas de estructuras de CoSi2, Ni2Si y NiSi2. Los resultados experimentales se complementan con cálculos teóricos de densidad de estados (DOS). Los cálculos se llevaron a cabo utilizando la Teoría extendida de aproximación de Hückel (EHT). 2003 Article PeerReviewed application/pdf en http://eprints.uanl.mx/1273/1/art_coni.pdf http://eprints.uanl.mx/1273/1.haspreviewThumbnailVersion/art_coni.pdf García Méndez, Manuel (2003) Caracterización estructural y química de Siliciuros de Co-Ni preparados ablación de láser pulsado: un estudio experimental y teórico. Ciencia UANL, 6 (4). ISSN 1405-9177 |
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