| Sumario: | Por medio de la técnica de depósito de láser pulsado
(PLD), se prepararon películas delgadas de Co-
Ni/p-Si depositadas sobre sustratos de Si (100). Las
muestras se sometieron a tratamientos térmicos en
vacío para promover la formación de siliciuros. De
los análisis realizados con XPS se detectaron
corrimientos químicos para las transiciones del Co2p
y Si2p, las cuales son energías de enlace características
de siliciuros, en el rango de 778.3-778.6 eV y
853.2-853.6 eV, respectivamente. Por medio de
microscopía electrónica de alta resolución (HRTEM)
se identificaron regiones nanocristalinas de estructuras
de CoSi2, Ni2Si y NiSi2. Los resultados experimentales
se complementan con cálculos teóricos de
densidad de estados (DOS). Los cálculos se llevaron
a cabo utilizando la Teoría extendida de aproximación
de Hückel (EHT).
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