Estudio de la cristalización de ZrO2 en el sistema sol-gel: ZrO2-SiO2

Los polvos en el sistema ZrO2-SiO2, obtenidos por el método sol-gel, se produjeron utilizando alcóxido de silicio (TEOS) y propóxido de zirconio. Después de la gelación, se investigó la cristalización del ZrO2 por difracción de rayos X (DRX), análisis térmico (ATD/ATG), y microscopía electrónic...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Aguilar, D.H., Torres González, Luis Carlos, Torres Martínez, Leticia M., López, T., Quintana Owen, Patricia
Formato: Artículo
Lenguaje:inglés
Publicado: 2003
Materias:
Acceso en línea:http://eprints.uanl.mx/1216/1/estcristalizacionsol_gel.pdf
_version_ 1824367842676441088
author Aguilar, D.H.
Torres González, Luis Carlos
Torres Martínez, Leticia M.
López, T.
Quintana Owen, Patricia
author_facet Aguilar, D.H.
Torres González, Luis Carlos
Torres Martínez, Leticia M.
López, T.
Quintana Owen, Patricia
author_sort Aguilar, D.H.
collection Repositorio Institucional
description Los polvos en el sistema ZrO2-SiO2, obtenidos por el método sol-gel, se produjeron utilizando alcóxido de silicio (TEOS) y propóxido de zirconio. Después de la gelación, se investigó la cristalización del ZrO2 por difracción de rayos X (DRX), análisis térmico (ATD/ATG), y microscopía electrónica de barrido (MEB). Los geles frescos eran amorfos. Se llevaron a cabo tratamientos térmicos de 100 hasta 1400°C, manteniéndolos por períodos de tiempo de hasta182h. La primera fase en cristalizar fue la zirconia tetragonal Z(t), entre 300 y 500°C. La temperatura de cristalización para las composiciones ricas en zirconia fue menor y aumentó a medida que el contenido de sílice aumentaba. El análisis térmico diferencial (ATD) mostró que la cristalización de Z(t) ocurría en dos pasos. La transformación de zirconia tetragonal a monoclínica ocurría a 1000°C y era claramente observada sólo en composiciones ricas en zirconia (>80%). La sílice permanecía amorfa hasta 1200°C, cuando se formaba la fase ZrSiO4. Se propuso un diagrama de fases sol-gel metaestable para mostrar el proceso de cristalización en el intervalo de temperatura de 100 a 1400°C.
format Article
id eprints-1216
institution UANL
language English
publishDate 2003
record_format eprints
spelling eprints-12162024-03-06T16:25:34Z http://eprints.uanl.mx/1216/ Estudio de la cristalización de ZrO2 en el sistema sol-gel: ZrO2-SiO2 Aguilar, D.H. Torres González, Luis Carlos Torres Martínez, Leticia M. López, T. Quintana Owen, Patricia QD Química Los polvos en el sistema ZrO2-SiO2, obtenidos por el método sol-gel, se produjeron utilizando alcóxido de silicio (TEOS) y propóxido de zirconio. Después de la gelación, se investigó la cristalización del ZrO2 por difracción de rayos X (DRX), análisis térmico (ATD/ATG), y microscopía electrónica de barrido (MEB). Los geles frescos eran amorfos. Se llevaron a cabo tratamientos térmicos de 100 hasta 1400°C, manteniéndolos por períodos de tiempo de hasta182h. La primera fase en cristalizar fue la zirconia tetragonal Z(t), entre 300 y 500°C. La temperatura de cristalización para las composiciones ricas en zirconia fue menor y aumentó a medida que el contenido de sílice aumentaba. El análisis térmico diferencial (ATD) mostró que la cristalización de Z(t) ocurría en dos pasos. La transformación de zirconia tetragonal a monoclínica ocurría a 1000°C y era claramente observada sólo en composiciones ricas en zirconia (>80%). La sílice permanecía amorfa hasta 1200°C, cuando se formaba la fase ZrSiO4. Se propuso un diagrama de fases sol-gel metaestable para mostrar el proceso de cristalización en el intervalo de temperatura de 100 a 1400°C. 2003 Article PeerReviewed application/pdf en http://eprints.uanl.mx/1216/1/estcristalizacionsol_gel.pdf http://eprints.uanl.mx/1216/1.haspreviewThumbnailVersion/estcristalizacionsol_gel.pdf Aguilar, D.H. y Torres González, Luis Carlos y Torres Martínez, Leticia M. y López, T. y Quintana Owen, Patricia (2003) Estudio de la cristalización de ZrO2 en el sistema sol-gel: ZrO2-SiO2. Ciencia UANL, 6 (1). ISSN 1405-9177
spellingShingle QD Química
Aguilar, D.H.
Torres González, Luis Carlos
Torres Martínez, Leticia M.
López, T.
Quintana Owen, Patricia
Estudio de la cristalización de ZrO2 en el sistema sol-gel: ZrO2-SiO2
thumbnail https://rediab.uanl.mx/themes/sandal5/images/online.png
title Estudio de la cristalización de ZrO2 en el sistema sol-gel: ZrO2-SiO2
title_full Estudio de la cristalización de ZrO2 en el sistema sol-gel: ZrO2-SiO2
title_fullStr Estudio de la cristalización de ZrO2 en el sistema sol-gel: ZrO2-SiO2
title_full_unstemmed Estudio de la cristalización de ZrO2 en el sistema sol-gel: ZrO2-SiO2
title_short Estudio de la cristalización de ZrO2 en el sistema sol-gel: ZrO2-SiO2
title_sort estudio de la cristalizacion de zro2 en el sistema sol gel zro2 sio2
topic QD Química
url http://eprints.uanl.mx/1216/1/estcristalizacionsol_gel.pdf
work_keys_str_mv AT aguilardh estudiodelacristalizaciondezro2enelsistemasolgelzro2sio2
AT torresgonzalezluiscarlos estudiodelacristalizaciondezro2enelsistemasolgelzro2sio2
AT torresmartinezleticiam estudiodelacristalizaciondezro2enelsistemasolgelzro2sio2
AT lopezt estudiodelacristalizaciondezro2enelsistemasolgelzro2sio2
AT quintanaowenpatricia estudiodelacristalizaciondezro2enelsistemasolgelzro2sio2