| Summary: | Los polvos en el sistema ZrO2-SiO2, obtenidos por
el método sol-gel, se produjeron utilizando alcóxido
de silicio (TEOS) y propóxido de zirconio. Después
de la gelación, se investigó la cristalización del ZrO2
por difracción de rayos X (DRX), análisis térmico
(ATD/ATG), y microscopía electrónica de barrido
(MEB). Los geles frescos eran amorfos. Se llevaron a
cabo tratamientos térmicos de 100 hasta 1400°C,
manteniéndolos por períodos de tiempo de
hasta182h. La primera fase en cristalizar fue la zirconia
tetragonal Z(t), entre 300 y 500°C. La temperatura
de cristalización para las composiciones ricas
en zirconia fue menor y aumentó a medida que el
contenido de sílice aumentaba. El análisis térmico
diferencial (ATD) mostró que la cristalización de Z(t)
ocurría en dos pasos. La transformación de zirconia
tetragonal a monoclínica ocurría a 1000°C y era
claramente observada sólo en composiciones ricas
en zirconia (>80%). La sílice permanecía amorfa
hasta 1200°C, cuando se formaba la fase ZrSiO4.
Se propuso un diagrama de fases sol-gel metaestable para mostrar el proceso de cristalización en el intervalo de temperatura de 100 a 1400°C.
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