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Construyendo una web API con la arquitectura n capas
Published 2023Subjects: “…Arquitectura N-Capas…”
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Desarrollo de capas anódicas sobre acero inoxidable 304L.
Published 2019“…El anodizado es uno de los procesos de protección y modificación superficial más empleados en los últimos años para la formación de capas de óxido en diferentes metales. Este tratamiento ha sido estudiado en titanio, aluminio y magnesio, sin embargo, el crecimiento de películas anódicas sobre materiales ferrosos ha generado gran interés en la actualidad, básicamente por extender su gama de aplicaciones a campos tecnológicos antes poco explorados como fotocatálisis, tratamiento de agua, sensores y mitigación de problemas de corrosión. …”
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Desarrollo de capas anódicas sobre acero inoxidable 304L.
Published 2019“…El anodizado es uno de los procesos de protección y modificación superficial más empleados en los últimos años para la formación de capas de óxido en diferentes metales. Este tratamiento ha sido estudiado en titanio, aluminio y magnesio, sin embargo, el crecimiento de películas anódicas sobre materiales ferrosos ha generado gran interés en la actualidad, básicamente por extender su gama de aplicaciones a campos tecnológicos antes poco explorados como fotocatálisis, tratamiento de agua, sensores y mitigación de problemas de corrosión. …”
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Estudio del sistema In₂S₃-Sb₂S₃ en celdas solares de capa extremadamente delgada
Published 2014“…En este trabajo se plantea la construcción de una celda solar de capa extremadamente delgada que emplea como semiconductor tipo n el TiO2, como material absorbente el sistema In2S3- Sb2S3 y como semiconductor tipo p el CuSCN, utilizando técnicas sencillas y versátiles de depósito, tales como spin coating y screen printing para el TiO2, el método silar para el material absorbente y el método de impregnación para el CuSCN.…”
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Estudio del sistema In₂S₃-Sb₂S₃ en celdas solares de capa extremadamente delgada
Published 2014“…En este trabajo se plantea la construcción de una celda solar de capa extremadamente delgada que emplea como semiconductor tipo n el TiO2, como material absorbente el sistema In2S3- Sb2S3 y como semiconductor tipo p el CuSCN, utilizando técnicas sencillas y versátiles de depósito, tales como spin coating y screen printing para el TiO2, el método silar para el material absorbente y el método de impregnación para el CuSCN.…”
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Formación de capas de hierro sobre la pared interna de los reactores de reducción directa
Published 2001“…La descripción del mecanismo de anclaje y crecimiento de las capas constituye el propósito de este trabajo.…”
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Desarrollo de celdas solares utilizando el CuSbS₂ como capa absorbedora por la técnica de depósito por baño químico.
Published 2018“…El CuSbS2 es un material semiconductor que puede ser utilizado como capa absorbedora por su alto coeficiente de absorción, además presenta una conductividad tipo-p y es un compuesto estable. …”
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Perfil de expresión de P53 y CASPASA-3 en la capa granular externa del cerebelo neonatal humano.
Published 2018“…La muerte de las neuronas de la capa granular externa ha sido ampliamente estudiada tanto in vivo como in vitro. …”
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Desarrollo de celdas solares utilizando el CuSbS₂ como capa absorbedora por la técnica de depósito por baño químico.
Published 2018“…El CuSbS2 es un material semiconductor que puede ser utilizado como capa absorbedora por su alto coeficiente de absorción, además presenta una conductividad tipo-p y es un compuesto estable. …”
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Perfil de expresión de P53 y CASPASA-3 en la capa granular externa del cerebelo neonatal humano.
Published 2018“…La muerte de las neuronas de la capa granular externa ha sido ampliamente estudiada tanto in vivo como in vitro. …”
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Impacto en el rendimiento de la cuenta plaquetaria comparando dos variantes de fraccionamiento a partir de capa leuco plaquetaria
Published 2023“…Los CP se obtienen extrayendo plaquetas (PLT) de donantes mediante aféresis o bien, mediante sangre total, sea usando la capa leucoplaquetaria (CL) o el método de plasma rico en plaquetas (PRP). …”
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