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Construyendo una web API con la arquitectura n capas
Publicado 2023Materias: “…Arquitectura N-Capas…”
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Desarrollo de capas anódicas sobre acero inoxidable 304L.
Publicado 2019“…El anodizado es uno de los procesos de protección y modificación superficial más empleados en los últimos años para la formación de capas de óxido en diferentes metales. Este tratamiento ha sido estudiado en titanio, aluminio y magnesio, sin embargo, el crecimiento de películas anódicas sobre materiales ferrosos ha generado gran interés en la actualidad, básicamente por extender su gama de aplicaciones a campos tecnológicos antes poco explorados como fotocatálisis, tratamiento de agua, sensores y mitigación de problemas de corrosión. …”
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Desarrollo de capas anódicas sobre acero inoxidable 304L.
Publicado 2019“…El anodizado es uno de los procesos de protección y modificación superficial más empleados en los últimos años para la formación de capas de óxido en diferentes metales. Este tratamiento ha sido estudiado en titanio, aluminio y magnesio, sin embargo, el crecimiento de películas anódicas sobre materiales ferrosos ha generado gran interés en la actualidad, básicamente por extender su gama de aplicaciones a campos tecnológicos antes poco explorados como fotocatálisis, tratamiento de agua, sensores y mitigación de problemas de corrosión. …”
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Estudio del sistema In₂S₃-Sb₂S₃ en celdas solares de capa extremadamente delgada
Publicado 2014“…En este trabajo se plantea la construcción de una celda solar de capa extremadamente delgada que emplea como semiconductor tipo n el TiO2, como material absorbente el sistema In2S3- Sb2S3 y como semiconductor tipo p el CuSCN, utilizando técnicas sencillas y versátiles de depósito, tales como spin coating y screen printing para el TiO2, el método silar para el material absorbente y el método de impregnación para el CuSCN.…”
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Estudio del sistema In₂S₃-Sb₂S₃ en celdas solares de capa extremadamente delgada
Publicado 2014“…En este trabajo se plantea la construcción de una celda solar de capa extremadamente delgada que emplea como semiconductor tipo n el TiO2, como material absorbente el sistema In2S3- Sb2S3 y como semiconductor tipo p el CuSCN, utilizando técnicas sencillas y versátiles de depósito, tales como spin coating y screen printing para el TiO2, el método silar para el material absorbente y el método de impregnación para el CuSCN.…”
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