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    Estudio del sistema In₂S₃-Sb₂S₃ en celdas solares de capa extremadamente delgada por Huerta Flores, Alí Margot

    Publicado 2014
    “…En este trabajo se plantea la construcción de una celda solar de capa extremadamente delgada que emplea como semiconductor tipo n el TiO2, como material absorbente el sistema In2S3- Sb2S3 y como semiconductor tipo p el CuSCN, utilizando técnicas sencillas y versátiles de depósito, tales como spin coating y screen printing para el TiO2, el método silar para el material absorbente y el método de impregnación para el CuSCN.…”
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    Estudio del sistema In₂S₃-Sb₂S₃ en celdas solares de capa extremadamente delgada por Huerta Flores, Alí Margot

    Publicado 2014
    “…En este trabajo se plantea la construcción de una celda solar de capa extremadamente delgada que emplea como semiconductor tipo n el TiO2, como material absorbente el sistema In2S3- Sb2S3 y como semiconductor tipo p el CuSCN, utilizando técnicas sencillas y versátiles de depósito, tales como spin coating y screen printing para el TiO2, el método silar para el material absorbente y el método de impregnación para el CuSCN.…”
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    Estudio diagnóstico serológico de la brucelosis humana en el estado de Nuevo León por Navarro Soto, Magda Celina

    Publicado 2017
    “…El punto de corte se seleccionó en un título mayor o igual a 320. En este valor de corte, la sensibilidad se sitúa baja en 20% (95% CI 2.5-55.6) y la especificidad alcanza el 100% (95% CI 96.9-100.0). …”
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