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    Estudio del sistema In₂S₃-Sb₂S₃ en celdas solares de capa extremadamente delgada por Huerta Flores, Alí Margot

    Publicado 2014
    “…En este trabajo se plantea la construcción de una celda solar de capa extremadamente delgada que emplea como semiconductor tipo n el TiO2, como material absorbente el sistema In2S3- Sb2S3 y como semiconductor tipo p el CuSCN, utilizando técnicas sencillas y versátiles de depósito, tales como spin coating y screen printing para el TiO2, el método silar para el material absorbente y el método de impregnación para el CuSCN.…”
    Enlace del recurso
    Tesis
  17. 2197

    Estudio del sistema In₂S₃-Sb₂S₃ en celdas solares de capa extremadamente delgada por Huerta Flores, Alí Margot

    Publicado 2014
    “…En este trabajo se plantea la construcción de una celda solar de capa extremadamente delgada que emplea como semiconductor tipo n el TiO2, como material absorbente el sistema In2S3- Sb2S3 y como semiconductor tipo p el CuSCN, utilizando técnicas sencillas y versátiles de depósito, tales como spin coating y screen printing para el TiO2, el método silar para el material absorbente y el método de impregnación para el CuSCN.…”
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    Tesis
  18. 2198
  19. 2199
  20. 2200

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