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    Ciclo político, demanda agregada y formación de capital en México por Gámez Garza, Cesáreo

    Publicado 2012
    “…En este trabajo se analiza la relación entre el ciclo político y la demanda agregada en México entre 1981 y 2010. …”
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    Artículo
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    La parroquia de Santa Catarina por Sepúlveda García, Francisco

    Publicado 2025
    “…Si usted se pregunta por qué tiene la entrada principal en el costado poniente, es porque la plaza de armas estaba al norte de la construcción, ya que la mayoría de las iglesias están colocadas con el eje de sus naves o cuerpo en posición perpendicular a las plazas principales de las poblaciones, pero la de este municipio rompe con esa regla no escrita y apunta hacia el norte como otras muchas más.…”
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    Artículo
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  16. 1056
  17. 1057
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    Estudio del sistema In₂S₃-Sb₂S₃ en celdas solares de capa extremadamente delgada por Huerta Flores, Alí Margot

    Publicado 2014
    “…La meta en el campo de investigación de las celdas solares es la construcción de celdas solares a partir de métodos de preparación sencillos y de bajo costo, usando materiales que permitan la obtención de eficiencias competitivas. En este trabajo se plantea la construcción de una celda solar de capa extremadamente delgada que emplea como semiconductor tipo n el TiO2, como material absorbente el sistema In2S3- Sb2S3 y como semiconductor tipo p el CuSCN, utilizando técnicas sencillas y versátiles de depósito, tales como spin coating y screen printing para el TiO2, el método silar para el material absorbente y el método de impregnación para el CuSCN.…”
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    Tesis
  19. 1059

    Estudio del sistema In₂S₃-Sb₂S₃ en celdas solares de capa extremadamente delgada por Huerta Flores, Alí Margot

    Publicado 2014
    “…La meta en el campo de investigación de las celdas solares es la construcción de celdas solares a partir de métodos de preparación sencillos y de bajo costo, usando materiales que permitan la obtención de eficiencias competitivas. En este trabajo se plantea la construcción de una celda solar de capa extremadamente delgada que emplea como semiconductor tipo n el TiO2, como material absorbente el sistema In2S3- Sb2S3 y como semiconductor tipo p el CuSCN, utilizando técnicas sencillas y versátiles de depósito, tales como spin coating y screen printing para el TiO2, el método silar para el material absorbente y el método de impregnación para el CuSCN.…”
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    Tesis
  20. 1060

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