Síntesis y Caracterización de Películas Delgadas de Cu2ZnSnSe4
Mediante el depósito secuencial de películas delgadas de SnSe (110 nm)-ZnSe (90 nm)-Cu2-xSe (55 nm) depositadas químicamente y con un post-tratamiento térmico en presencia de polvo de Selenio a 400 °C y 10 Torr se forma una película delgada de Cu2ZnSnSe4 de 205 nm de espesor. A partir de la...
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| Published: |
Universidad Autónoma de Nuevo León
2022
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| author | Llamas - Regla, Eliseo Rodríguez - Lazcano , Yamilet Barrios - Salgado, Enue Pérez - Orozco, Juan Pablo A. U., Juantorena |
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| collection | Artículos de Revistas UANL |
| description | Mediante el depósito secuencial de películas delgadas de SnSe (110 nm)-ZnSe (90 nm)-Cu2-xSe (55 nm) depositadas químicamente y con un post-tratamiento térmico en presencia de polvo de Selenio a 400 °C y 10 Torr se forma una película delgada de Cu2ZnSnSe4 de 205 nm de espesor. A partir de la medición de difracción de rayos X se comprueba la formación de la película delgada de Cu2ZnSnsSe4 sin la identificación de fases secundarias. El material tiene una brecha de energía de 0.84 eV, una conductividad eléctrica de 0.2 Ω^-1 cm^-1, con movlidad de huecos de 60 cm^2 V^-1 s^-1y concentración de portadores de huecos de 2 x10^16 cm^-3. |
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| spelling | quimicahoy-article-2762022-07-26T15:34:44Z Síntesis y Caracterización de Películas Delgadas de Cu2ZnSnSe4 Llamas - Regla, Eliseo Rodríguez - Lazcano , Yamilet Barrios - Salgado, Enue Pérez - Orozco, Juan Pablo A. U., Juantorena Película Delgada depósito químico brecha de energía CZTSe Mediante el depósito secuencial de películas delgadas de SnSe (110 nm)-ZnSe (90 nm)-Cu2-xSe (55 nm) depositadas químicamente y con un post-tratamiento térmico en presencia de polvo de Selenio a 400 °C y 10 Torr se forma una película delgada de Cu2ZnSnSe4 de 205 nm de espesor. A partir de la medición de difracción de rayos X se comprueba la formación de la película delgada de Cu2ZnSnsSe4 sin la identificación de fases secundarias. El material tiene una brecha de energía de 0.84 eV, una conductividad eléctrica de 0.2 Ω^-1 cm^-1, con movlidad de huecos de 60 cm^2 V^-1 s^-1y concentración de portadores de huecos de 2 x10^16 cm^-3. Universidad Autónoma de Nuevo León 2022-07-26 info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion Peer review articles Articulos evaluados por pares application/pdf https://quimicahoy.uanl.mx/index.php/r/article/view/276 10.29105/qh11.01-276 Quimica Hoy; Vol. 11 No. 01 (2022): Enero-Junio 2022; 8-13 Quimica Hoy; Vol. 11 Núm. 01 (2022): Enero-Junio 2022; 8-13 2007-1183 spa https://quimicahoy.uanl.mx/index.php/r/article/view/276/252 https://creativecommons.org/licenses/by/4.0 |
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