| Sumario: | En el presente trabajo se obtuvieron películas delgadas de Cu3SbSe3 a través del tratamiento térmico de películas delgadas de Sb2Se3-CuSe, depositadas por la técnica de baño químico (CBD). Las películas fueron tratadas térmicamente a 250 y 300 ºC en atmósfera de N2. Se caracterizaron mediante distracción de rayos-X (XRD), espectroscopia UV-Vis, microscopia de fuerza atómica (AFM) y sus propiedades eléctricas mediante la técnica de las dos puntas. Las películas obtenidas mostraron el material ternario Cu3SbSe3 (JCPDS 086-1751), espesores promedio entre 320 y 350 nm, la conductividad evaluada entre 1.32 a 9.05 (Ωcm)-1 y energía de banda prohibida (Eg) de 2.06 eV
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