Depósito de películas ultradelgadas de óxido de zinc (ZnO) por ALD - Martínez G., Eduardo; Flores, José; Pérez Tijerina, Eduardo Gerardo (2010)
En este trabajo se reportan los resultados obtenidos en el crecimiento de películas ultradelgadas de óxido de zinc, mediante la técnica de depósito por capas atómicas (ALD). Las películas de ZnO presentan un crecimiento policristalino con estructura hexagonal tipo wurtzita, pero con orden cristalográfico en la dirección [001]. La microestructura granular, observada por los análisis de microscopía de fuerza atómica, revela también el carácter cristalino y la homogeneidad morfológica del óxido semiconductor en la superficie. A través del análisis topográfico por AFM, hemos observado que la rugosidad de la superficie está condicionada por varios factores experimentales, como el tiempo de exposición a los precursores y el tiempo en que se produce la evacuación de los residuos. Los valores de resistividad, concentración y movilidad de portadores son comparables a los obtenidos en otros trabajos, y asegura la calidad cristalina de las muestras.