| Sumario: | El mapeo de modos evanescentes con un microsco
pio Optico de campo cercano es numÈricamente es- tudiado. La influencia de componentes que se pro- pagan provenientes del esparcimiento inel·stico (fue- ra del plano) de ondas evanescentes sobre las distribuciones de intensidad y, consecuentemente, sobre las im·genes Ûpticas de campo cercano, es discutida. El esparcimiento elástico (en el plano) de modos evanescentes es modelado, considerando un esparcidor puntual cuya respuesta al campo evanescente incidente est· fenomenolÛgicamente relacionada a su polarizabilidad efectiva. El estudio est· orientado, en una primera aproximaciÛn, hacia el desarrollo de un modelo completo que pueda ser exitosamente usado en el an·lisis de im·genes Opticas de campo cercano.
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