Estudio de la cristalización de ZrO2 en el sistema sol-gel: ZrO2-SiO2 - Aguilar, D.H.; Torres González, Luis Carlos; Torres Martínez, Leticia M.; López, T.; Quintana Owen, Patricia (2003)
Los polvos en el sistema ZrO2-SiO2, obtenidos por el método sol-gel, se produjeron utilizando alcóxido de silicio (TEOS) y propóxido de zirconio. Después de la gelación, se investigó la cristalización del ZrO2 por difracción de rayos X (DRX), análisis térmico (ATD/ATG), y microscopía electrónica de barrido (MEB). Los geles frescos eran amorfos. Se llevaron a cabo tratamientos térmicos de 100 hasta 1400°C, manteniéndolos por períodos de tiempo de hasta182h. La primera fase en cristalizar fue la zirconia tetragonal Z(t), entre 300 y 500°C. La temperatura de cristalización para las composiciones ricas en zirconia fue menor y aumentó a medida que el contenido de sílice aumentaba. El análisis térmico diferencial (ATD) mostró que la cristalización de Z(t) ocurría en dos pasos. La transformación de zirconia tetragonal a monoclínica ocurría a 1000°C y era claramente observada sólo en composiciones ricas en zirconia (>80%). La sílice permanecía amorfa hasta 1200°C, cuando se formaba la fase ZrSiO4. Se propuso un diagrama de fases sol-gel metaestable para mostrar el proceso de cristalización en el intervalo de temperatura de 100 a 1400°C.